Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6013DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6013DPE
RJK6013DPE-00#J3 Hakkında
RJK6013DPE-00#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi, 11A sürekli drenaj akımı ve 700mOhm (10V, 5.5A koşullarında) Rds On değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. SC-83 (LDPAK) yüzey montajlı kasa tipinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, özellikle güç kaynakları, motor sürücüleri ve izolatörlü gate driver uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi, 37.5nC gate charge ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. 100W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile sınırlı soğutma gereksinimleri olan tasarımlarda değerlendirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok