Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6012DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6012DPP
RJK6012DPP-E0#T2 Hakkında
RJK6012DPP-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 full pack paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V drive voltajında 920mOhm on-resistance değeri ve 30nC gate charge ile verimli çalışan transistör, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. 30W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir. Ürün Digi-Key'de üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok