Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK6012DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK6012DPP

RJK6012DPP-A0#T2 Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJK6012DPP-A0#T2, 600V dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paket tipinde tasarlanmış olup, maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 29.5W güç dağıtabilir. 1.37Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Dren-kaynak voltajı 600V, gate voltajı ±30V aralığında çalışır. Gate charge değeri 20nC olup hızlı anahtarlama işlemlerine uygundir. Güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel denetim devrelerinde yaygın olarak tercih edilen bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 765 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 29.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.37Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok