Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6012DPE
RJK6012DPE-00#J3 Hakkında
RJK6012DPE-00#J3, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. SC-83 (LDPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100W güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel kontrol devreleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürücü geriliminde 920mOhm maksimum on-state direnci ve 30nC gate charge özelliğiyle hızlı anahtarlama işlemlerine izin verir. -40°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok