Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK6006DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK6006DPP

RJK6006DPP-A0#T2 Hakkında

Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJK6006DPP-A0#T2, 600V dayanıklılığa sahip N-channel MOSFET transistördür. 10A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, 920mOhm maksimum on-resistance değeri (5A, 10V şartlarında) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. 30W maksimum güç tüketimi kapasitesi bulunan bileşen, ±30V gate voltage toleransı ile çeşitli kontrol devrelerine uyumludur. 150°C'ye kadar çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devresi, DC-DC converterleri ve diğer yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Aktif durumdaki ürün, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok