Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6006DPD-00#J2
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6006DPD
RJK6006DPD-00#J2 Hakkında
RJK6006DPD-00#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltaj ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.6Ω (10V, 2.5A) maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. 19nC gate charge ve 600pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında etkindir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 77.6W güç dağıtımında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 77.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok