Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6002DPH-E0#T2
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6002
RJK6002DPH-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK6002DPH-E0#T2, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2A sürekli drain akımı sağlayabilir ve 30W güç yayılımına dayanıklıdır. Rds(on) değeri 1A ve 10V şartlarında 6.8Ω olup, 6.2nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. ±30V gate-source gerilimi aralığında çalışan transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, AC/DC güç dönüştürücülerinde, LED kontrol devrelerinde ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. Through-hole montaj türü ile PCB'ye direkt lehimlenebilir. Maksimum junction sıcaklığı 150°C'dir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok