Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6002DPD-WS#J2
MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6002
RJK6002DPD-WS#J2 Hakkında
RJK6002DPD-WS#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürücü geriliminde 6.8Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 30W güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. Ürün mevcut durumu itibariyle üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok