Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK6002DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 2A MP3A

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RJK6002DPD

RJK6002DPD-00#J2 Hakkında

RJK6002DPD-00#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 2A sürekli drenaj akımı ve 6.8Ohm maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. ±30V maksimum kapı gerilimi ve 150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. 6.2nC düşük kapı yükü sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package MP-3A
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok