Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK5030DPD-01#J2
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK5030DPD
RJK5030DPD-01#J2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK5030DPD-01#J2, 500V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 5A sürekli akım kapasitesi ve 1.6Ω maksimum on-direnç (RDS(on)) özellikleriyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Kasa-drenaj bağlantısı ile ısı yönetimini iyileştirir. Part, production sonlandırılmış (obsolete) durumda olup, stok ve alternatif çözümler kontrol edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok