Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK5030DPD-00#J2
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK5030DPD
RJK5030DPD-00#J2 Hakkında
RJK5030DPD-00#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi (Vdss) ve 5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde maksimum 1.6Ω on-state direnci (Rds On) ile çalışır. 550pF giriş kapasitansi (Ciss) ve ±30V maksimum kapı-source gerilimi (Vgs) özellikleriyle güç dönüştürme, anahtar uygulamaları, sürücü devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılmaktadır. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 41.7W güç yayılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok