Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK5015DPM-00#T1
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK5015DPM
RJK5015DPM-00#T1 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK5015DPM-00#T1, 500V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 240mΩ maksimum on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. 66nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunarken, ±30V gate-source gerilim aralığı geniş uygulamalar için esneklik tanır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 60W güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürme, anahtarlamalı regülatör, motor kontrol ve yüksek gerilim aygıt uygulamalarında kullanılan bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok