Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK5014DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 500V 19A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK5014DPP

RJK5014DPP-E0#T2 Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJK5014DPP-E0#T2, 500V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 390mΩ maksimum on-direnç (10V gate geriliminde), 46nC gate yükü ve 35W maksimum güç dağılımı özelikleriyle güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel anahtarlama uygulamaları ve UPS sistemlerinde yer alır. ±30V gate-source gerilim toleransı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı sağlam tasarım marjı sunmaktadır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB dizilimlerine uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok