Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK5013DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK5013DPP

RJK5013DPP-E0#T2 Hakkında

RJK5013DPP-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 465mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Maksimum 30W güç saçılım kapasitesi ile endüstriyel kontrol devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüler ve anahtarlamalı regülatörlerde yer alır. ±30V maksimum kapı gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı, geniş uygulama alanına olanak tanır. 38nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama davranışı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 465mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok