Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK5012DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK5012DPP
RJK5012DPP-E0#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK5012DPP-E0#T2, 500V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek için tasarlanmıştır. 620mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 29nC gate charge karakteristiği ile verimli çalışma sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 30W güç tüketimi kapasitesiyle, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Through-hole montaj tipi, konvansiyonel PCB tasarımlarında entegrasyon kolaylığı sağlar. Not: Bu bileşen üretimden kaldırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok