Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK5012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK5012DPE
RJK5012DPE-00#J3 Hakkında
RJK5012DPE-00#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source geriliminde 12A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 620mOhm (10V, 6A şartlarında) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sunar. SC-83 (LDPAK) yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlara uygun olan transistör, endüstriyel denetim sistemleri, elektrik motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji dönüşüm devrelerinde kullanılmaktadır. -30V ile +30V gate gerilim aralığında çalışabilir ve 150°C maksimum junction sıcaklığında 100W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok