Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK4532DPD-E0#J2
MOSFET N-CH 450V 4A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK4532
RJK4532DPD-E0#J2 Hakkında
RJK4532DPD-E0#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu FET, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ile termal dayanıklılığı yeterlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok