Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK4006DPD-WS#J2
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK4006DPD
RJK4006DPD-WS#J2 Hakkında
RJK4006DPD-WS#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 800mΩ maksimum on-direnci sunar. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde temin edilen bu bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 65W güç saçabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 4.5V gate threshold gerilimi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok