Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK4006DPD-00#J2
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK4006DPD
RJK4006DPD-00#J2 Hakkında
RJK4006DPD-00#J2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 400V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürme geriliminde 800mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. 620pF maksimum input kapasitansi ve 20nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemine uygundur. 65W maksimum güç tüketimi ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde uygulanır. TO-252 DPak yüzey montaj paketinde sunulmuş, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir çalışma gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok