Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK2557DPA-WS#J0

MOSFET N-CH 250V 17A 8WPAK

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
RJK2557DPA

RJK2557DPA-WS#J0 Hakkında

RJK2557DPA-WS#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN (WPAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrolü uygulamalarında tercih edilir. 128mOhm (10V, 8.5A'de) on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 30W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar işletim sıcaklığına dayanıklıdır. NOT: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 128mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package 8-WPAK (3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok