Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2557DPA-00#J0
MOSFET N-CH 250V 17A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2557DPA
RJK2557DPA-00#J0 Hakkında
RJK2557DPA-00#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source geriliminde 17A sürekli dren akımı sağlayabilir. 128mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sunarak, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında verimlilik sağlar. 8-PowerWDFN (8-WPAK) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. ±30V maksimum kapı gerilimi aralığında çalışır ve 150°C sıcaklıkta 30W güç yayınlayabilir. Endüstriyel kontrol, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji yönetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK (3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok