Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2555DPA-00#J0
MOSFET N-CH 250V 17A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2555DPA
RJK2555DPA-00#J0 Hakkında
RJK2555DPA-00#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN (8-WPAK) SMD paket türünde sunulan bu bileşen, 104mΩ maksimum Rds(On) direnci ile düşük kayıplarında çalışır. Gate charge değeri 39nC ve 2400pF input kapasitanspansiyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Maksimum 30W güç tüketimine sahip olan cihaz, -150°C çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK (3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok