Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2511DPK-00#T0
MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2511DPK
RJK2511DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJK2511DPK-00#T0, 250V drenaj-kaynak geriliminde 65A sürekli drenaj akımı sağlayan N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 34mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V kapı geriliminde çalışan transistör, 120nC kapı yükü ve 4900pF giriş kapasitansına sahiptir. ±30V maksimum kapı-kaynak gerilimi, 150°C işletme sıcaklığı ve 200W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Through-hole montajı ve yüksek akım kapasitesi sayesinde endüstriyel uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok