Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK2076DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 200V 20A WPAK

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RJK2076DPA

RJK2076DPA-00#J5A Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJK2076DPA-00#J5A, 200V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı özellikleri ile N-channel MOSFET transistörüdür. WPAK (PowerVDFN) surface mount paketi ile tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. 10V gate drive voltajında 19nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yüklü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package WPAK(3F) (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok