Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2057DPA-WS#J0
MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2057DPA
RJK2057DPA-WS#J0 Hakkında
RJK2057DPA-WS#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 8-PowerWDFN (WPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 30W güç disipasyonuna sahip olup düşük on-resistance (Rds On: 85mOhm @ 10A, 10V) sayesinde enerji verimliliği sağlar. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüler, enerji yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate eşik gerilimi 4.5V olup ±30V gate gerilimini tolere edebilir. 150°C'ye kadar çalışabilir. Bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK (3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok