Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2057DPA-00#J0
MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2057DPA
RJK2057DPA-00#J0 Hakkında
RJK2057DPA-00#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN (8-WPAK) paket içinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 85mOhm maksimum açık duruma geçiş direnci (RDS On) değerine sahiptir. 150°C junction sıcaklığında 30W güç dağıtabilir. Düşük gate charge (19nC) ve input capacitance (1250pF) değerleri hızlı anahtarlama özelliğini sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK (3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok