Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2055DPA-WS#J0
MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2055DPA
RJK2055DPA-WS#J0 Hakkında
RJK2055DPA-WS#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 8-PowerWDFN paket tipi ile yüzey montajlı tasarıma sahiptir. Maksimum 69mOhm on-direnci (10A, 10V koşullarında) ve 38nC gate yükü özelliklerini taşır. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. İşletme sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK (3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok