Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2055DPA-00#J0
MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2055DPA
RJK2055DPA-00#J0 Hakkında
RJK2055DPA-00#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim, 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN (8-WPAK) yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, düşük on-state direnci (69mOhm @ 10A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. 38nC gate şarjı ve 2400pF input kapasitanslı yapısı, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Elektrik kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK (3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok