Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2017DPP-M0#T2
ABU / MOSFET
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2017DPP
RJK2017DPP-M0#T2 Hakkında
RJK2017DPP-M0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ile 45A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 47mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük açılma direnci sağlar. 10V gate sürme geriliminde çalışır ve ±30V maksimum gate gerilimini tolere eder. 150°C işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 30W maksimum güç tüketimi ile termal tasarımda esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok