Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2009DPM-00#T0
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2009DPM
RJK2009DPM-00#T0 Hakkında
RJK2009DPM-00#T0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 40A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-state direnci (36mOhm @ 20A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. 72nC gate charge ve 2900pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. Maksimum 60W güç dağıtım kapasitesi ile motor kontrolü, güç dönüştürücüler, switched-mode güç kaynakları (SMPS) ve endüstriyel aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok