Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK2006DPE-00#J3
MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK2006DPE
RJK2006DPE-00#J3 Hakkında
RJK2006DPE-00#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. SC-83 (LDPAK) paketinde sunulan komponentin maksimum RDS(on) değeri 59mΩ'dur (20A, 10V koşullarında). 100W güç dağıtım kapasitesi ile motor kontrolü, LED sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yer alır. ±30V gate gerilim aralığı ve düşük on-state direnç, verimli anahtarlama işlemini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok