Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK1557DPA-WS#J0
MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK1557DPA
RJK1557DPA-WS#J0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK1557DPA-WS#J0, N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerWDFN (8-WPAK) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 58mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 10V gate drive voltajında optimize edilmiştir. 30W güç dağıtma kapasitesi ile güç elektronikleri, motor kontrol, şarj devrелeri ve gerilim regülatör uygulamalarında yer alır. ±30V maksimum gate-source voltajı ve 4.5V threshold voltajı ile güvenli komütasyon sağlar. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK (3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok