Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK1557DPA-00#J0

MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
RJK1557DPA

RJK1557DPA-00#J0 Hakkında

RJK1557DPA-00#J0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ve 25A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 58mΩ maksimum RDS(ON) değeri düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerWDFN (8-WPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, AC-DC dönüştürücüler, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate-source voltajı ve 20nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama performansını destekler. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı ve 30W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package 8-WPAK (3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok