Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK1555DPA-WS#J0

MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
RJK1555DPA

RJK1555DPA-WS#J0 Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJK1555DPA-WS#J0, N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi (Vdss) ve 25A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 48mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. 8-PowerWDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, 30W güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerine, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülere kullanılır. ±30V Vgs desteklemesi, geniş uygulama alanında avantaj sağlar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilen düşük kayıplı güç anahtarlaması için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package 8-WPAK (3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok