Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK1055DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
RJK1055DPB

RJK1055DPB-00#J5 Hakkında

RJK1055DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 23A sürekli drain akımı (Id) ile orta güç uygulamalarına uygundur. 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. LFPAK (SC-100, SOT-669) paket tipi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. 60W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok