Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK1052DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
RJK1052DPB

RJK1052DPB-00#J5 Hakkında

RJK1052DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SC-100/SOT-669 LFPAK paketinde surface mount konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolünde, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığında 55W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4160 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok