Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK1003DPN-A0#T2
MOSFET N-CH 100V 50A TO220ABA
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK1003DPN
RJK1003DPN-A0#T2 Hakkında
RJK1003DPN-A0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 11mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. Gate charge değeri 59nC olup, 4V threshold voltajına sahiptir. Yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilmesi (150°C'ye kadar) ve 125W güç dağıtım kapasitesi, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220ABA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok