Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK1002DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 100V 70A TO220AB
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK1002DPN
RJK1002DPN-E0#T2 Hakkında
RJK1002DPN-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source geriliminde 70A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 7.6mOhm RDS(on) değeriyle düşük kayıp sağlar. Gate voltajı ±20V aralığında çalışan bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 150°C işletme sıcaklığına dayanıklı tasarımı, yüksek güç disipasyonu gerektiren devrelerde kullanılabilmesini sağlar. Bileşen Through Hole montaj türünde olup, klasik PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok