Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK1002DPN-A0#T2
MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK1002DPN
RJK1002DPN-A0#T2 Hakkında
RJK1002DPN-A0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 7.6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 94nC gate charge ve 6450pF input capacitance değerleriyle çalışır. 150W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ve -55°C ile 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş çalışma koşullarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220ABA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok