Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK1001DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 100V 80A TO220FP
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK1001
RJK1001DPP-E0#T2 Hakkında
RJK1001DPP-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ (10V, 40A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve ±20V gate gerilimi aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Bileşen üretimden kaldırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok