Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK1001DPP-A0#T2
MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK1001DPP
RJK1001DPP-A0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJK1001DPP-A0#T2, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 5.5mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile karakterizedir. 147nC gate charge ve 10nF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -20V ile +20V arasında gate gerilimi toleransına ve 150°C maksimum işletme sıcaklığına sahiptir. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220ABA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok