Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK1001DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK1001DPN
RJK1001DPN-E0#T2 Hakkında
RJK1001DPN-E0#T2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain to Source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, güç uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 5.5mΩ on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 147nC gate charge ve 10pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200W maximum power dissipation kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, switched-mode power supplies (SMPS) ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmak üzere uygundur. Delik montajı (Through Hole) tipi olması klasik PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar. Parça üretilmemeye başlanmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok