Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0856DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0856DPB
RJK0856DPB-00#J5 Hakkında
RJK0856DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. LFPAK (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8.9mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. 40nC gate charge ve 3000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 65W güç tüketiminde çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok