Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0852DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0852DPB
RJK0852DPB-00#J5 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK0852DPB-00#J5, 80V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-channel MOSFET transistördür. SC-100/SOT-669 LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, 12mΩ (10V, 15A) maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 55W güç dağılımı yeteneğine ve ±20V gate gerilimi toleransına sahiptir. Uygulamalar arasında anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi ve çeşitli DC-DC dönüştürücü devreleri yer almaktadır. Surface mount montaj türü, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın kullanım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok