Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0851DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0851DPB
RJK0851DPB-00#J5 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK0851DPB-00#J5, 80V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. SC-100/SOT-669 LFPAK paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 23mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine sahiptir. 45W maksimum güç tüketimi ve ±20V gate gerilim toleransı ile güç yönetimi, motor kontrol, güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 14nC gate yükü ile hızlı komütasyon sağlar. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylıkla gerçekleştirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok