Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0658DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-WFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0658DPA
RJK0658DPA-00#J5A Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK0658DPA-00#J5A, 60V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 25A sürekli dren akımı kapasitesi ve 11.1mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıplarına sahiptir. 8-WFDFN SMD paketine yerleştirilmiş olan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi toleransı ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 50W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1580 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok