Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0656DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0656DPB
RJK0656DPB-00#J5 Hakkında
RJK0656DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 40A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. LFPAK (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5.6mOhm (10V, 20A) on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, 150°C'ye kadar junction sıcaklığında 65W güç tüketimi kapasitesiyle motor sürücüleri, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. Düşük gate yükü (40nC @ 10V) ve input kapasitans (3000pF @ 10V) hızlı anahtarlama işlemi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok