Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK0655DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK0655DPB
RJK0655DPB-00#J5 Hakkında
RJK0655DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 6.7mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. SC-100 (LFPAK) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığında çalışabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 60W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok