Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK0654DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
RJK0654DPB

RJK0654DPB-00#J5 Hakkında

RJK0654DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. LFPAK (SC-100, SOT-669) paketinde sunulan transistör, 8.3mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 27nC gate charge ve 2000pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirir. 150°C junction sıcaklığında çalışabilen ve 55W maksimum güç dağıtabilen bu MOSFET, endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok