Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK0652DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
RJK0652DPB

RJK0652DPB-00#J5 Hakkında

RJK0652DPB-00#J5, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 7mOhm (10V, 17.5A) düşük RDS(on) değeri ve 55W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile verimli çalışır. LFPAK (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok